Verfahren zum Herstellen einer photoelektrischen Vorrichtung mittels Ionenimplantierung
Anmelder: Samsung SDI Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2648235
- Aktenzeichen
- EP12191136
- Anmeldetag
- 2. November 2012
- Veröffentlichung
- 2. November 2016
- Erteilung
- 2. November 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18
Abstract
A method of manufacturing a photoelectric device, the method including: forming a first semiconductor layer (110) on a semiconductor substrate (100) through a first ion implantation; forming a second semiconductor layer (120)having an inverted conductive type on a part of the first semiconductor layer through a second ion implantation; and performing thermal processing to repair lattice damage of the semiconductor substrate and activate a dopant into which ion implanted. A photoelectric device having a reduction in the number of processes for manufacturing the photoelectric device and improved output characteristics is provided.
Anmelder
- Firma
- Samsung SDI Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
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