Integration von Logiktransistor und nichtflüchtigen Speicherzellen
EP2650910
Art B1
2. August 2017
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2650910
- Aktenzeichen
- EP13161836
- Anmeldetag
- 29. März 2013
- Veröffentlichung
- 2. August 2017
- Erteilung
- 2. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/423H01L21/336H01L29/788H01L27/115
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Potts, Susan Patricia
Basingstoke, Großbritannien
180
Patente gesamt
16
Fachgebiete
4
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Freescale law department - EMEA patent ops
Freescale law department - EMEA patent ops · Toulouse
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse