Halbleiterspeicher mit ähnlichen RAM- und ROM-Zellen

EP2657939 Art B1 27. Mai 2015

Anmelder: GN ReSound A/S 🇩🇰

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2657939
Aktenzeichen
EP12165659
Anmeldetag
26. April 2012
Veröffentlichung
27. Mai 2015
Erteilung
27. Mai 2015
Rechtsraum
EP
IPC
G11C11/412G11C11/00G11C17/12G11C8/16
Offizieller Volltext

Abstract

A new semiconductor memory is provided with an array of volatile and non-volatile cells, wherein individual volatile memory cells have transistors connected in a first memory cell circuit, and wherein at least one non-volatile memory cell has transistors connected in a second memory cell circuit, wherein the first memory cell circuit is formed by addition of at least one transistor to the second memory cell circuit.

Anmelder

Firma
GN ReSound A/S
Land
🇩🇰 Dänemark
🇩🇰 GN ReSound A/s

GN ReSound ist ein dänischer Hersteller von Hörgeräten und Teil der GN-Gruppe. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Telekommunikationstechnik, ergänzt durch Halbleiter- und Akustiktechnik. Die Anmeldungen von 2000 bis 2016 betreffen unter anderem das Streaming von Kommunikation zwischen Hörgeräten und digitale Rückkopplungsunterdrückung.

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