Verfahren zur Herstellung eines Getemperten Wafers
EP2659032
Art B1
11. Februar 2015
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2659032
- Aktenzeichen
- EP11796952
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2011
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2015
- Erteilung
- 11. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/06C30B15/20H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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Weitere Vertreter
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