Schichtstruktur mit einer Oxid-Halbleiter-Dünnschicht und Dünnschichttransistor

EP2660868 Art A1 6. November 2013

Anmelder: Idemitsu Kosan Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2660868
Aktenzeichen: EP11853221
Anmeldetag: 27. Dezember 2011
Veröffentlichung: 6. November 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/363H01L21/02H01L29/786C23C14/08H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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