Heteroübergang-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2667415
Art B1
17. Februar 2021
Anmelder: Nexperia B.V., NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2667415
- Aktenzeichen
- EP12168884
- Anmeldetag
- 22. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2021
- Erteilung
- 17. Februar 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L29/778H01L29/417H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Nexperia B.V.
NXP B.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Crawford, Andrew
NoneNijmegen