Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
EP2673806
Art B1
5. Mai 2021
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2673806
- Aktenzeichen
- EP11857416
- Anmeldetag
- 12. Februar 2011
- Veröffentlichung
- 5. Mai 2021
- Erteilung
- 5. Mai 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/78H01L29/08H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse