Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren und Laserglühvorrichtung
Anmelder: SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2674968
- Aktenzeichen
- EP13020036
- Anmeldetag
- 12. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 27. Februar 2019
- Erteilung
- 27. Februar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/268H01L21/331B23K26/06
Abstract
A semiconductor device manufacturing method and a laser annealing apparatus are provided which can realize annealing with high quality. A semiconductor substrate includes an amorphous high-concentration layer and a low-concentration layer which is disposed deeper than the high-concentration layer. Dopant concentration of the low-concentration layer is lower than that of the high-concentration layer. Dopants in the high-concentration layer are activated by a first laser pulse. Dopants in the low-concentration layer are activated by a second laser pulse which has a higher peak power than the first laser pulse and has a shorter pulse width than the first laser pulse. Accordingly, dopants in the high-concentration layer and the low-concentration layer are activated without an increase in surface roughness.
Anmelder
- Firma
- SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanischer Industriekonzern mit Sitz in Tokio. Sumitomo Heavy Industries fertigt Maschinenbauprodukte, Baumaschinen, Getriebe sowie Anlagen für Umwelttechnik und Schiffbau.
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Wagner & Geyer wurde 1972 von Karl H. Wagner in München gegründet und fusionierte 1983 mit Dr. Ulrich F. Geyer. Neben Patenten begleitet die Kanzlei Designs, Gebrauchsmuster und Marken im internationalen Partnernetzwerk und berät traditionell eng mit japanischen Mandanten auf Deutsch, Englisch und Japanisch.