IGBT mit Trench-Gate-Struktur und Verfahren zu seinem Herstellung
EP2674979
Art B1
18. Juli 2018
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2674979
- Aktenzeichen
- EP13168689
- Anmeldetag
- 22. Mai 2013
- Veröffentlichung
- 18. Juli 2018
- Erteilung
- 18. Juli 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L29/66H01L29/06H01L29/10H01L29/08H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Weitere Vertreter
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Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München
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Calderbank, Thomas Roger
NoneLondon