Integrierte Schaltung mit ionenempfindlichem Sensor und Herstellungsverfahren
EP2677306
Art B1
29. November 2017
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2677306
- Aktenzeichen
- EP12172620
- Anmeldetag
- 19. Juni 2012
- Veröffentlichung
- 29. November 2017
- Erteilung
- 29. November 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N27/414// H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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