Verfahren und Systeme zur Anpassung der Zellenvorspannungszustände eines nichtflüchtigen Speichers basierend auf der Betriebstemperatur zur Verringerung der Leistungsverschlechterung

EP2690628 Art B1 21. März 2018

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2690628
Aktenzeichen
EP13177131
Anmeldetag
18. Juli 2013
Veröffentlichung
21. März 2018
Erteilung
21. März 2018
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/12G11C29/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

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