Verfahren und Systeme zur Anpassung der Zellenvorspannungszustände für Programmierungs-/Löschvorgänge eines nichtflüchtigen Speichers basierend auf der Betriebstemperatur zur Verringerung von Leistungsverschlechterung
EP2690629
Art B1
14. April 2021
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2690629
- Aktenzeichen
- EP13177161
- Anmeldetag
- 19. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 14. April 2021
- Erteilung
- 14. April 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/12G11C16/34G11C29/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
1.545 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
2.392 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse