Hochtemperatur ionische Implantierung von nitridbasierten Transistoren
EP2690653
Art B1
31. Mai 2017
Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2690653
- Aktenzeichen
- EP13190291
- Anmeldetag
- 20. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 31. Mai 2017
- Erteilung
- 31. Mai 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L21/265// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Cree, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Cree
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
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Fachgebiete
Vertreten von
Brophy, David Timothy
Dublin, Irland
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FRKelly
FRKelly · Dublin