Hochtemperatur ionische Implantierung von nitridbasierten Transistoren

EP2690653 Art B1 31. Mai 2017

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2690653
Aktenzeichen
EP13190291
Anmeldetag
20. Juni 2008
Veröffentlichung
31. Mai 2017
Erteilung
31. Mai 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/335H01L21/265// H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Cree, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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