Stromsperrschicht für eine Leuchtdiode
Anmelder: Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd., LG Innotek Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2696376
- Aktenzeichen
- EP13179057
- Anmeldetag
- 2. August 2013
- Veröffentlichung
- 9. Dezember 2020
- Erteilung
- 9. Dezember 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/14// H01L33/38H01L33/40
Abstract
A light emitting device according to the embodiment includes a light emitting structure (10) including a first conductive semiconductor layer (11), an active layer (12 under the first conductive semiconductor layer, and a second conductive semiconductor layer (3) under the active layer; a first electrode (80) electrically connected to the first conductive semiconductor layer(11); a current blocking layer (35) disposed under the light emitting structure (10) and having a top surface disposed in the first conductive semiconductor layer (11) by passing through the active layer(12); a first metal layer (40) disposed on the current blocking layer and contacting the first conductive semiconductor layer (11); and a reflective electrode (17) electrically connected to the second conductive semiconductor layer (13).
Anmelder
- Firmen
- Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd.
LG Innotek Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
Südkoreanisches Elektronikunternehmen mit Sitz in Seoul, Tochtergesellschaft der LG-Gruppe. Entwickelt Komponenten für Kamera- und Optikmodule, Halbleiterträger, Motoren und Materialien für Mobilgeräte, Fahrzeuge und Displays.
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Fachgebiete
M. Zardi & Co. SA, 1999 gegründete Kanzlei für geistiges Eigentum mit Sitz in Lugano im Kanton Tessin. Berät zu Patenten, Marken und Design und vertritt Mandanten vor dem Eidgenössischen Institut für Geistiges Eigentum, dem Europäischen Patentamt und der WIPO.
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