Halbleitervorrichtung mit hoher Durchbruchspannung und mit isoliertem in einem Graben geformten Gate sowie Herstellungsverfahren dafür
EP2701202
Art A3
7. Mai 2014
Anmelder: STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2701202
- Aktenzeichen
- EP13193878
- Anmeldetag
- 29. Juni 2012
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.r.l.
- Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Kanzlei
Studio Torta S.p.A
Treviso, Italien
Studio Torta ist eine italienische IP-Boutique mit Büros in Turin, Mailand, Bologna, Rom, Treviso und Rimini, spezialisiert auf Patente, Marken, Designs und Sortenschutz, mit erkennbaren Schwerpunkten in Pharma sowie Agrar- und Lebensmittelprodukten.
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