Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Schaltung Beinhaltend einen Gassensor
EP2708878
Art B1
22. April 2020
Anmelder: ams International AG, ams international AG, NXP B.V. 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2708878
- Aktenzeichen
- EP12184015
- Anmeldetag
- 12. September 2012
- Veröffentlichung
- 22. April 2020
- Erteilung
- 22. April 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01N27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ams International AG
ams international AG
NXP B.V. - Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Epping - Hermann - Fischer
Epping - Hermann - Fischer · München