Ätzzusammensetzung und Verfahren zum Ätzen eines Siliziumwafers

EP2711989 Art B1 6. November 2019

Anmelder: Industrial Technology Research Institute 🇹🇼

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2711989
Aktenzeichen: EP13156375
Anmeldetag: 22. Februar 2013
Veröffentlichung: 6. November 2019
Erteilung: 6. November 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0236

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Industrial Technology Research Institute
Land: 🇹🇼 Taiwan

🇹🇼 Industrial Technology Research Institute

Taiwanisches Forschungsinstitut für angewandte Technologie, entwickelt und überträgt Innovationen aus Elektronik, Materialwissenschaft und Industrietechnik in die Wirtschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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