Hochkonzentrierte Aktive Dotierung bei Halbleitern und damit Hergestellte Halbleiterbauelemente

EP2718962 Art A1 16. April 2014

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology, Massachusetts Institute Of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2718962
Aktenzeichen: EP12713417
Anmeldetag: 1. März 2012
Veröffentlichung: 16. April 2014
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/225

Offizieller Volltext

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Anmelder

Firmen: Massachusetts Institute of Technology
Massachusetts Institute Of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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