Schottky-Diodenstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung

EP2722890 Art B1 16. Dezember 2020

Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2722890
Aktenzeichen: EP12188867
Anmeldetag: 17. Oktober 2012
Veröffentlichung: 16. Dezember 2020
Erteilung: 16. Dezember 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/872H01L21/328H01L29/778H01L21/8252H01L27/06// H01L29/20H01L29/40

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Clerix, André Leuven, Belgien

Patente gesamt

Fachgebiete

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Elektronik & Schaltungstechnik Medizintechnik & Gesundheit Verfahrens- & Trenntechnik Optik & Fototechnik

Weitere Vertreter