Herstellung von Sic-Mosfets mit Hoher Kanalmobilität durch Behandlung der Oxidschnittstelle mit Cäsiumionen

EP2740148 Art B1 19. Dezember 2018

Anmelder: Cree, Inc., Auburn University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2740148
Aktenzeichen: EP12820668
Anmeldetag: 22. Juni 2012
Veröffentlichung: 19. Dezember 2018
Erteilung: 19. Dezember 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/04H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Cree, Inc.
Auburn University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

1.232 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von