Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2741336
Art B1
2. September 2020
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2741336
- Aktenzeichen
- EP12820337
- Anmeldetag
- 30. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 2. September 2020
- Erteilung
- 2. September 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/739H01L21/28H01L21/336H01L27/04H01L29/12H01L29/41H01L29/47H01L29/78H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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