Epitaxialschichtwafer mit Leerstelle zur Trennung eines Wachstumssubstrats davon und damit hergestellte Halbleitervorrichtung

EP2743966 Art B1 25. November 2020

Anmelder: Seoul Viosys Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2743966
Aktenzeichen: EP13196850
Anmeldetag: 12. Dezember 2013
Veröffentlichung: 25. November 2020
Erteilung: 25. November 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

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Abstract

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Anmelder

Firma: Seoul Viosys Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Seoul Viosys Co., Ltd.

Seoul Viosys ist ein südkoreanischer Hersteller von LED-Chips und optoelektronischen Bauteilen, eine Tochtergesellschaft von Seoul Semiconductor, dessen Patente LED-Technologie betreffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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