Herstellungsverfahren einer Heteroübergang-Jbs-Diode mit nicht Implantierten Barriereregionen

EP2754182 Art B1 19. August 2020

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2754182
Aktenzeichen: EP12830318
Anmeldetag: 6. September 2012
Veröffentlichung: 19. August 2020
Erteilung: 19. August 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/872H01L21/329H01L29/06H01L29/165// H01L29/47

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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