Flash Speicher mit Bias-Vorspannung für Wortzeilen-/-Spaltentreiber

EP2757562 Art B1 21. Oktober 2020

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2757562
Aktenzeichen
EP14150659
Anmeldetag
9. Januar 2014
Veröffentlichung
21. Oktober 2020
Erteilung
21. Oktober 2020
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/08G11C8/08
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung
Vertreten von
Hardingham, Christopher Mark NXP Semiconductors · Inhouse Hamburg, Deutschland
1.676
Patente gesamt
24
Fachgebiete
6
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Schwerpunkte
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