Halbleiterbauelement mit einem mittels einer gesinterten Ag-Schicht zu einem Stanzgitter verbundenen Chip, wobei eine Harzkehle die gesinterte Ag-Schicht und einen Teil einer Seitenfläche des Chips bedeckt und wobei Chipelektroden mit Anschlussleitern verbunden sind, sowie Herstellungsverfahren dafür
EP2779232
Art A3
3. Dezember 2014
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2779232
- Aktenzeichen
- EP14160005
- Anmeldetag
- 14. März 2014
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/488H01L23/49H01L21/60H01L23/31// H01L23/495
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
1.021
Patente gesamt
32
Fachgebiete
15
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München