PZT-basierte dünne ferroelektrische filmbildende Zusammensetzung, Verfahren zu ihrer Herstellung, und Verfahren zur Herstellung eines PZT-basierten ferroelektrischen Dünnfilms damit
EP2784136
Art B1
20. Juli 2016
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2784136
- Aktenzeichen
- EP14155207
- Anmeldetag
- 14. Februar 2014
- Veröffentlichung
- 20. Juli 2016
- Erteilung
- 20. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C09D5/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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