Hochfrequenzhalbleitergehäuse und Hochfrequenzhalbleitervorrichtung

EP2787530 Art B1 8. August 2018

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2787530
Aktenzeichen
EP13195139
Anmeldetag
29. November 2013
Veröffentlichung
8. August 2018
Erteilung
8. August 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/045H01L23/10H01L23/20H01L23/48H01L23/552H01L23/66
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Kanzlei
Marks & Clerk LLP

Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.

37.384
Patente gesamt
30
Patentanwälte
8
Standorte
Weitere Vertreter

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen