Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit einer Schottky-Diode und einem Transistor mit Hoher Elektronenmobilität
EP2793255
Art B8
17. Januar 2018
Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2793255
- Aktenzeichen
- EP13163861
- Anmeldetag
- 16. April 2013
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2018
- Erteilung
- 17. Januar 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8252H01L29/778H01L27/06H01L29/872H01L29/20// H01L29/10H01L29/06H01L29/66
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
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Clerix, André
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