Integrierte Schaltungskonstruktionen mit Substratdurchgängen und Verfahren zur Erzeugung Integrierter Schaltungskonstruktionen mit Substratdurchgängen
EP2801111
Art A1
12. November 2014
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2801111
- Aktenzeichen
- EP12864481
- Anmeldetag
- 10. Dezember 2012
- Veröffentlichung
- 12. November 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L21/56H01L21/98H01L25/065// H01L23/485H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
37.082
Patente gesamt
30
Patentanwälte
8
Standorte