Verfahren zur Bereitstellung einer Gate-Metallschicht einer Transistorvorrichtung

EP2802003 Art B1 28. August 2019

Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2802003
Aktenzeichen: EP13166902
Anmeldetag: 7. Mai 2013
Veröffentlichung: 28. August 2019
Erteilung: 28. August 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/49H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC VZW
IMEC
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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