Transistor mit Basis aus Graphen und Verfahren zu seiner Herstellung

EP2808896 Art B1 18. Mai 2016

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2808896
Aktenzeichen: EP13169804
Anmeldetag: 29. Mai 2013
Veröffentlichung: 18. Mai 2016
Erteilung: 18. Mai 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L29/16H01L21/331

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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