Halbleiterbauelemente mit Steilem Phosphor-Profil in einer Germaniumschicht

EP2812921 Art B1 16. November 2016

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2812921
Aktenzeichen: EP13709153
Anmeldetag: 11. Februar 2013
Veröffentlichung: 16. November 2016
Erteilung: 16. November 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/36H01L21/22H01L29/167H01L29/165H01L29/864H01L21/329H01L31/0288H01L31/101H01L31/18H01L33/02H01S5/30H01L33/00H01L33/34H01S5/183

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

150 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von