Verfahren zur Erzielung von Anhaltender Anisotroper Kristallzüchtung auf der Oberfläche einer Schmelze

EP2814783 Art A1 24. Dezember 2014

Anmelder: Leading Edge Crystal Technologies, Inc., Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2814783
Aktenzeichen: EP12808617
Anmeldetag: 12. Dezember 2012
Veröffentlichung: 24. Dezember 2014
Rechtsraum: EP
IPC: C03B15/00C03B15/14C30B29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Leading Edge Crystal Technologies, Inc.
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

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