Verfahren zur Erzielung eines Anhaltenden Wachstums Anisotroper Kristalle auf der Oberfläche einer Siliciumschmelze

EP2815003 Art B1 12. Juni 2019

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2815003
Aktenzeichen: EP12808618
Anmeldetag: 12. Dezember 2012
Veröffentlichung: 12. Juni 2019
Erteilung: 12. Juni 2019
Rechtsraum: EP
IPC: C30B11/00C30B29/06C30B15/00C30B15/06C30B15/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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