Verbesserungen an oder in Zusammenhang mit angehefteten Fotodioden zur Verwendung in Bildsensoren
Anmelder: IMEC VZW, Katholieke Universiteit Leuven 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2816601
- Aktenzeichen
- EP13173087
- Anmeldetag
- 20. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 1. März 2017
- Erteilung
- 1. März 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/146
Abstract
Described herein is a pinned photodiode pixel architecture (100) having a p-type substrate (110) which is independently biased with respect to a pixel area (180) to provide an avalanche region (230) between an n-type region (130) and a p-type region (120) formed on the substrate (110). Such a pinned photodiode pixel (100) can be used in imaging sensors that are used in low light level conditions.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
Katholieke Universiteit Leuven - Land
- 🇧🇪 Belgien
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Fachgebiete
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Mackett, Margaret Dawn
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