Mackett, Margaret
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Patente
145 gesamt| Patent | |||
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25.11.2020 · Les Industries Trovac Ltée
Abgangskastensystem für Zentrale Vakuumanlagen
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Status
Angemeldet am 10.02.2015
Erteilt am 25.11.2020
Vertretung
Mackett, Margaret · Diegem
Gevers Patents · Diegem
Zusammenfassung
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01.07.2020 · L'Oréal
Ladestromüberwachung oder -Steuerung in einer Induktiven Resonanzabgestimmten Ladevorrichtung
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Status
Angemeldet am 26.02.2015
Erteilt am 01.07.2020
Vertretung
Mackett, Margaret · Diegem
Gevers Patents · Diegem
Zusammenfassung
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05.06.2019 · The Sloan Company, Inc. dba S…
Flexibles Band-Led-Modul
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Zusammenfassung
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20.02.2019 · IMEC vzw
Verbesserungen an oder im Zusammenhang mit elektrostatischem Entladungsschutz
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Status
Angemeldet am 30.12.2013
Erteilt am 20.02.2019
Vertretung
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Mackett, Margaret · Diegem
Zusammenfassung
Described herein is an electrostatic discharge (ESD) protection device implemented in finFET technology. The device has a reduced thickness shallow trench isolation (STI) layer (120') which allows migration of high-doped drain implants (240, 250) therethrough to form regions (290, 300) extending under the STI layer (120') thereby creating a planar-like region under the STI layer (120'). The regions (290, 300) are formed in an n-well layer (180) provided between a substrate (100) and the STI layer (120'). The formation of the planar-like region under the STI layer (120') has the advantage that part of the thermal energy produced in the device during an ESD event is generated under the STI layer where it can be more efficiently dissipated towards a substrate (100). |
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26.12.2018 · IMEC VZW
Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtungen und Herstellungsverfahren dafür
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Status
Angemeldet am 30.09.2013
Erteilt am 26.12.2018
Vertretung
Mackett, Margaret · Diegem
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Zusammenfassung
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05.12.2018 · IMEC VZW
Verbesserungen in bezug auf die Erhöhung des Dynamikbereichs von Bildsensoren
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Status
Angemeldet am 06.10.2011
Erteilt am 05.12.2018
Vertretung
Mackett, Margaret · Diegem
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Zusammenfassung
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23.05.2018 · Schreder
Beleuchtungssteuerungen
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Zusammenfassung
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17.01.2018 · IMEC VZW
LVTSCR-Anordnung
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Status
Angemeldet am 06.09.2013
Erteilt am 17.01.2018
Vertretung
Mackett, Margaret · Diegem
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Zusammenfassung
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17.05.2017 · Shanghai One Top Corporation
Türschliessblech
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Status
Angemeldet am 16.08.2007
Erteilt am 17.05.2017
Vertretung
Zusammenfassung
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03.05.2017 · IMEC VZW
Unidirektionale intelligente Bypass-Elemente mit geringem Spannungsabfall
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Status
Angemeldet am 29.03.2013
Erteilt am 03.05.2017
Vertretung
Mackett, Margaret · Diegem
Mackett, Margaret Dawn · Diegem
Zusammenfassung
Described herein is a low voltage unidirectional electronic bypass element (200) connected across at least one solar cell and operable to allow current to flow in the event that the operation of at least one solar cell is suspended. The bypass element (200) comprises a single field effect transistor (230) connected between first and second terminals (210, 220) which acts as an electronically-controlled switch, and a detection circuit (260) for detecting suspension of the operation of the at least one solar cell and for activating the switch (230) to bypass the at least one solar cell in the event of suspension of its operation. Diodes (250) are connected in parallel with the normally-open switch (230) and which receive current in the event of suspension of operation of the solar cell to trigger operation of the detection circuit (260). The detection circuitry (260) including a charge pump (270), a timer circuit (280), a control generation block (290) and a switch control circuit (300). The switch control circuit (300) generating a control signal for the gate of the switch to activate the switch to close it and to allow current to bypass the at least one solar cell with which the bypass element (200) is associated. |
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Vertretene Patentanmelder
Die Patentanmelder, die Mackett, Margaret in den erfassten Patenten am häufigsten vertritt.
| Anmelder | Anzahl Patente |
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| 1. BAE Systems | 8 |
| 2. Katholieke Universiteit Leuven | 2 |
| 3. Ghent University | 1 |
| 4. Lockheed Martin | 1 |
| 5. Siemens | 1 |
Patente nach Jahr
Nach Anmeldejahr. Patentanmeldungen werden in der Regel erst 18 Monate nach der Anmeldung veröffentlicht, daher sind die jüngsten Jahre noch unvollständig. Der graue Balkenanteil zeigt eine Hochrechnung auf Basis der typischen Veröffentlichungsverzögerung: so viele Anmeldungen sind für das Jahr insgesamt zu erwarten.