Verfahren zur Herstellung von Kontaktbereichen auf einem Halbleitersubstrat
EP2819162
Art B1
17. Juni 2020
Anmelder: IMEC VZW, IMEC 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2819162
- Aktenzeichen
- EP13173335
- Anmeldetag
- 24. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2020
- Erteilung
- 17. Juni 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/498H01L21/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- IMEC VZW
IMEC - Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Fachgebiete
Vertreten von
Clerix, André
Leuven, Belgien
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2
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