Nitrid-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung einer Nitrid-Halbleiterschicht
EP2824693
Art B1
14. April 2021
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2824693
- Aktenzeichen
- EP14174748
- Anmeldetag
- 27. Juni 2014
- Veröffentlichung
- 14. April 2021
- Erteilung
- 14. April 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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Fachgebiete
Kanzlei
Marks & Clerk LLP
Marks & Clerk zählt zu den ältesten und international breitesten IP-Kanzleien: 1887 in Birmingham gegründet, ist sie heute mit eigenen Büros auf drei Kontinenten präsent und deckt das gesamte Spektrum des gewerblichen Rechtsschutzes ab.
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Granleese, Rhian Jane
Marks & Clerk LLP · London