Verfahren zur Reduzierung von Schäden an einem Gate-Abstandsstück mit Niedriger Dielektizitätskonstante Während einer Ätzung
EP2828887
Art A1
28. Januar 2015
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2828887
- Aktenzeichen
- EP13763857
- Anmeldetag
- 21. März 2013
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L21/311H01L21/336H01L29/49
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
2.414 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
38.880
Patente gesamt
25
Patentanwälte
2
Standorte