Bipolartransistor mit selbstjustiertem Emitterkontakt und Verfahren zu dessen Herstellung

EP2830097 Art B1 24. Februar 2021

Anmelder: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2830097
Aktenzeichen: EP14188533
Anmeldetag: 3. Dezember 2009
Veröffentlichung: 24. Februar 2021
Erteilung: 24. Februar 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/737H01L29/732H01L21/331H01L29/08H01L29/10H01L29/161H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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