Integrierter SOI-Schaltkreis, der mit einer Schutzvorrichtung gegen elektrostatische Entladungen ausgestattet ist
EP2835825
Art A1
11. Februar 2015
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, STmicroelectronics SA, Centre National de la Recherche Scientifique 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2835825
- Aktenzeichen
- EP14178657
- Anmeldetag
- 25. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 11. Februar 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/02H01L27/12H01L29/74H01L29/749H01L29/423H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
STmicroelectronics SA
Centre National de la Recherche Scientifique - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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