Komplementäre integrierte Galliumnitrid-Schalter und Verfahren zu deren Herstellung
EP2838113
Art B1
18. März 2020
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2838113
- Aktenzeichen
- EP14179991
- Anmeldetag
- 6. August 2014
- Veröffentlichung
- 18. März 2020
- Erteilung
- 18. März 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8252H01L27/06H01L27/085// H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
-
Optimus Patents Ltd
Optimus Patents Ltd · Basingstoke