Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2840592
- Aktenzeichen
- EP14181903
- Anmeldetag
- 22. August 2014
- Veröffentlichung
- 26. Dezember 2018
- Erteilung
- 26. Dezember 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213H01L29/66
Abstract
A semiconductor device manufacturing method includes exciting a processing gas containing a HBr gas and a Cl<2>gas within a processing chamber that accommodates a target object including a substrate, regions made of silicon, which are protruded from the substrate and arranged to form a gap, a metal layer formed to cover the regions, a polycrystalline silicon layer formed on the metal layer, and an organic mask formed on the polycrystalline silicon layer. The Cl<2>gas is supplied at a flow rate of about 5% or more to about 10% or less with respect to a flow rate of the HBr gas in the processing gas.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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