Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls an einer Schmelzenzone
EP2880205
Art B1
5. Oktober 2016
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2880205
- Aktenzeichen
- EP13734717
- Anmeldetag
- 1. Juli 2013
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2016
- Erteilung
- 5. Oktober 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B13/20C30B13/30C30B13/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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