Verfahren zur Herstellung CMOS-kompatibler Kontaktschichten in Halbleitervorrichtungen

EP2881982 Art B1 4. September 2019

Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2881982
Aktenzeichen
EP14189155
Anmeldetag
16. Oktober 2014
Veröffentlichung
4. September 2019
Erteilung
4. September 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8252H01L21/3205H01L21/3213H01L29/45H01L21/324H01L33/32H01L33/40H01L29/20H01L29/207
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
IMEC VZW
Land
🇧🇪 Belgien
🇧🇪 imec

Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.

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