Halbleiterstruktur mit Germanium-Oxid-Haltigem Film auf einer Germaniumschicht und Herstellungsverfahren dafür

EP2889897 Art A1 1. Juli 2015

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2889897
Aktenzeichen: EP13830424
Anmeldetag: 18. April 2013
Veröffentlichung: 1. Juli 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/316H01L21/336H01L29/78H01L21/28H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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