Halbleitergehäuse mit einer Isolationswand zur Reduzierung der elektromagnetischen Kopplung
EP2892076
Art A3
17. Februar 2016
Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2892076
- Aktenzeichen
- EP14196131
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Optimus Patents Ltd · Basingstoke