Halbleiterstruktur aus einer Galliumnitridschicht auf einem Substrat mit einer amorphen Siliziumnitrid-Zwischenschicht
EP2894662
Art A1
15. Juli 2015
Anmelder: International Rectifier Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2894662
- Aktenzeichen
- EP15154901
- Anmeldetag
- 24. Juni 2005
- Veröffentlichung
- 15. Juli 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Rectifier Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
International Rectifier
International Rectifier war ein US-amerikanischer Hersteller von Leistungshalbleitern, der 2015 von Infineon Technologies übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Steuerungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2015.
427 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Moore, David Simon
London, Großbritannien
83
Patente gesamt
22
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Piotrowicz, Pawel Jan Andrzej
Venner Shipley LLP · Cambridge