Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
Anmelder: United Semiconductor Japan Co., Ltd., Mie Fujitsu Semiconductor Limited, Socionext Inc. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2894664
- Aktenzeichen
- EP15150714
- Anmeldetag
- 9. Januar 2015
- Veröffentlichung
- 21. Oktober 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8234H01L27/02H01L21/8238// H01L27/07
Abstract
A semiconductor integrated circuit apparatus and a manufacturing method for the same are provided in such a manner that a leak current caused by a ballast resistor is reduced, and at the same time, the inconsistency in the leak current is reduced. The peak impurity concentration of the ballast resistors (32) is made smaller than the peak impurity concentration in the extension regions (26), and the depth of the ballast resistors (32) is made greater than the depth of the extension regions (26).
Anmelder
- Firmen
- United Semiconductor Japan Co., Ltd.
Mie Fujitsu Semiconductor Limited
Socionext Inc. - Land
- 🇯🇵 Japan
Socionext ist ein japanischer Fabless-Halbleiterhersteller, der 2015 aus den System-LSI-Sparten von Fujitsu und Panasonic hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Elektronik und Schaltungstechnik, ergänzt durch Nachrichtentechnik und Software. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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Fachgebiete
-
Haseltine Lake Kempner LLP
Haseltine Lake Kempner LLP · München