Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP2897166
Art A1
22. Juli 2015
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2897166
- Aktenzeichen
- EP12884473
- Anmeldetag
- 14. September 2012
- Veröffentlichung
- 22. Juli 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L21/60H01L25/07H01L25/18H01L23/29H01L21/768H01L23/31H01L23/48H01L23/498H01L21/56H01L23/00H01L21/683H01L25/03H01L25/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
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Patente gesamt
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Fachgebiete
15
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München